3月11日，省長(zhǎng)劉國(guó)中主持召開(kāi)省政府第六次常務(wù)會(huì)議，研究了2019年度省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)工作。會(huì)議決定，授予楊紹卿、安芷生、郝躍三位院士2019年度陜西省最高科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)，對(duì)“復(fù)雜疾病相關(guān)模式發(fā)現(xiàn)理論與方法研究”等260個(gè)項(xiàng)目進(jìn)行獎(jiǎng)勵(lì)。
多年來(lái)，郝躍院士奮斗在教學(xué)和科研第一線，長(zhǎng)期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)工作。自上世紀(jì)九十年代起，他開(kāi)始研究第三代（寬禁帶）半導(dǎo)體材料與器件，是我國(guó)第三代半導(dǎo)體電子學(xué)領(lǐng)域的開(kāi)拓者和引領(lǐng)者。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和微波器件、半導(dǎo)體短波長(zhǎng)光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理研究等方面取得了一系列創(chuàng)新成果。創(chuàng)建了我國(guó)第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延生長(zhǎng)、器件結(jié)構(gòu)以及制造工藝的理論與技術(shù)體系，實(shí)現(xiàn)了我國(guó)第三代半導(dǎo)體從核心設(shè)備、材料到器件的重大創(chuàng)新，并使我國(guó)在氮化物第三代半導(dǎo)體電子器件步入國(guó)際領(lǐng)先行列。
郝躍院士簡(jiǎn)介：
郝躍，安徽省阜陽(yáng)人，1958年3月生于重慶市。微電子學(xué)專家，微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士生導(dǎo)師。1982年畢業(yè)于西安電子科技大學(xué)半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)，1991年在西安交通大學(xué)計(jì)算數(shù)學(xué)專業(yè)獲博士學(xué)位。現(xiàn)任九三學(xué)社第十四屆中央委員會(huì)常委和九三學(xué)社陜西省委主委、中國(guó)電子學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng)、國(guó)際IEEE學(xué)會(huì)高級(jí)會(huì)員。2013年當(dāng)選中國(guó)科學(xué)院院士。
郝躍自上世紀(jì)九十年代開(kāi)始從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)，開(kāi)拓和引領(lǐng)了我國(guó)第三代（寬禁帶）半導(dǎo)體電子材料與器件的發(fā)展，攻克研制出高質(zhì)量材料生長(zhǎng)的設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了最高效率的氮化鎵微波功率器件、最高亮度的深紫外氮化鎵LED器件，創(chuàng)建了我國(guó)第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延生長(zhǎng)、器件結(jié)構(gòu)以及制造工藝的理論與技術(shù)體系，使我國(guó)在氮化物第三代半導(dǎo)體電子器件步入國(guó)際領(lǐng)先行列。
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